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トランジスタ技術 Special No.54 実践パワー・エレクトロニクス入門 パワーMos FetとIgbtの使い方をやさしく解説 By Cq出版社.
高性能トランジスタ技術 high performance transistor technologies special reports 須黒 恭一 suguro kyoichi 江口 和弘 eguchi kazuhiro 次世代トランジスタの高性能化では,ゲート絶縁膜の薄膜化と,ソースとドレインの浅接合化が非常に重要である。 次世代のゲート絶縁膜の厚みが1nm以下になり,大きなゲート. トランジスタ技術 interface rfワールド トランジスタ技術special fpgaマガジン エレキジャック 別冊 cq ham radio; On the other hand, organic tft using an organic active layer has been developed actively in japan and many other countries in recent years, and printing materials and processes for building organic tft attract.
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